常州第六元素材料科技股份有限公司

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2025-06
由于石墨烯独特的电子结构及良好的导电性,因此石墨烯很有可能成为组成纳米电子器件的比较好材料。目前研究**为***也是**热门的课题之一就是制备基于石墨烯的透明导电薄膜以代替昂贵的氧化铟锡(ITO)电极。由于氧化石墨烯可大规模生产并
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聚合物太阳能电池常采用氧化铟锡(ITO)作为透明导电电极。其中ITO成本较高,机械稳定性较差,即使在很小的外界机械应力作用下ITO膜也易产生微裂纹导致膜电阻增加,从而使光电器件的性能下降。石墨烯优异的光学性能和机械强度及韧性,使其
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不同高聚物间的共混可明显提升其各种物理性能,具有广阔的使用范围。通过改变聚合物的类型和组分的配比来调控聚合物共混物的性能,可以综合利用各组分的性能,是一种非常有效和经济的方法,从而满足特定要求73,74。然而,简单的聚合物共混往往
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GO的二维纳米材料属性:纳米厚度、微米级平面尺寸从而具有极高的比表面积;高氧化程度GO的非晶态特征,使其能作为良好的2D模板,应用于制备纳米复合材料.2016年Huang[84]等人发明了一种自下而上的方法来制备类石墨烯二维Al2
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使用高阻隔性能高分子薄膜,可防止由于氧气等气体的渗透而引起的微生物繁殖和封装内容的氧化;防止香味、溶剂等的流出,提高内容物的储存性。所以提高薄膜阻隔性能十分有必要,市场需求量巨大。高阻隔性包装材料如乙烯乙烯醇共聚物(EVOH)、聚
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不同高聚物间的共混可明显提升其各种物理性能,具有广阔的使用范围。通过改变聚合物的类型和组分的配比来调控聚合物共混物的性能,可以综合利用各组分的性能,是一种非常有效和经济的方法,从而满足特定要求73,74。然而,简单的聚合物共混往往
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